日本政府、次世代半導体のRapidusに追加で10億ドルを出資

なぜ今、国を挙げた追加10億ドル支援が必要なのか

日本政府は、国産次世代半導体の受託製造を目指すRapidus（ラピダス）に対して、最大10億ドル規模の追加出資および助成を承認しました。先端AIや自動運転、スーパーコンピューティングの基盤となる2ナノメートル世代の微細加工技術を巡り、世界的な覇権争いが激化するなかでの迅速な政策判断です。

北海道千歳市に建設中の製造拠点「IIM-1（Innovative Integration for Manufacturing）」では、すでにEUV（極端紫外線）露光装置などの最先端設備の搬入が順調に進んでいます。今回の追加資金は、パイロットラインでの試作検証を量産水準へと引き上げ、2027年の商用量産開始を確実にするためのテスト工程およびクリーンルーム拡張に重点投入されます。

2nm世代GAA構造と後工程パッケージングの融合

Rapidusが開発を急ぐ2nm世代ロジック半導体は、従来のFinFET構造から、全周ゲート型トランジスタ（GAA / Gate-All-Around）構造である「ナノシート」技術への大転換を意味します。IBMやベルギーの先端研究機関imecとの国際連携を基盤に、単なる微細化だけでなく、チップレット集積と高度な後工程技術を組み合わせた「短TAT（ターンアラウンドタイム）製造モデル」を武器に差別化を図っています。

• GAAナノシート技術：ゲートがチャネルを完全に取り囲むことでリーク電流を極小化し、電力効率を大幅改善
• 高速単一ウェハ処理：バッチ処理を行わず1枚ずつ高速処理することで、少量多品種かつ超短納期でのチップ製造を実現
• 2.5D/3D先端パッケージング：千歳での前工程と協調し、AIアクセラレータ向け高密度積層チップレットを国内完結

従来のメガファブが追求してきた巨大な規模の経済に対し、Rapidusが提案するのは設計から試作・完成品までの時間を大幅に短縮するスピードです。これは生成AIモデルの進化速度に合わせたカスタムシリコンを必要とするテック企業にとって大きな魅力となります。

電力インフラと半導体エコシステムの再構築

半導体ファブの安定稼働には、莫大かつ高品質なクリーン電力の供給が不可欠です。北海道エリアにおける豊富な再生可能エネルギー（風力・水力・太陽光）と次世代送電網の連系は、環境負荷の低い半導体エコシステム形成の核となります。

材料メーカーや装置メーカーが集積する日本のアドバンテージを活かし、前工程から後工程、さらには電力供給インフラまでを一気通貫で連携させることで、日本のエレクトロニクス産業全体の付加価値向上が期待されています。